用于集成電路制造工藝中銅和銅阻擋層的去除和平坦化。產品已在邏輯芯片等上量產使用。持續研發并驗證下一步技術節點用的產品。
用于集成電路制造工藝中鎢的去除和平坦化。產品已在邏輯芯片等上量產使用。持續研發并驗證28nm以下技術節點用的產品。
用于集成電路制造工藝中介電材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化。
基于二氧化鈰磨料的拋光液具有高速去除二氧化硅,高選擇比,高平坦化效率等優點。用于集成電路制造工藝中淺槽隔離和其他需要高速去除二氧化硅的拋光工藝中,并且根據客戶需要開發多種新產品。
用于硅襯底及其他半導體襯底材料的拋光。包括硅粗拋液、硅精拋液、碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液等產品系列。
基于化學機械拋光液技術和產品平臺,配合客戶制程需求,研制開發用于新技術新工藝的化學機械拋光液。包括用于三維集成工藝中TSV硅通孔拋光液和混合鍵和拋光液,聚合物和碳等新材料用拋光液。多個產品已量產供應。
1.鋁制程刻蝕后清洗液
2.銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液
3.硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液
1.銅化學機械拋光后的清洗
2.鎢化學機械拋光后的清洗
3.鋁化學機械拋光后的清洗液
4.氮化硅化學機械拋光后的清洗
5.用于新材料化學機械拋光后的清洗
6.拋光墊清洗液
憑著羥(qian)胺(an)生(sheng)產商(shang)商(shang)生(sheng)產商(shang)防護徹(che)底解決措施(shi),提拱(gong)半水性聚氨(an)酯(zhi)鋁質程刻蝕后洗液及胺(an)基鋁質程刻蝕后洗液。
商(shang)品(pin)運用于集(ji)(ji)成式電路(lu)原(yuan)理鋁(lv)程工藝設備重金(jin)(jin)屬(shu)材(cai)質線、通孔(kong)及重金(jin)(jin)屬(shu)材(cai)質焊盤(pan)(pad)蝕刻(ke)存(cun)留物除(chu)掉,能(neng)提供高品(pin)質的蝕刻(ke)存(cun)留物除(chu)掉業務(wu)能(neng)力(li)、成本分析價。商(shang)品(pin)已(yi)在8英(ying)尺(chi)及12英(ying)尺(chi)道理集(ji)(ji)成ic、存(cun)儲(chu)空(kong)間集(ji)(ji)成ic等(deng)教育領域(yu)燒錄。
用于ibms電(dian)路原理(li)銅(tong)互連大馬(ma)士革工藝設備(bei)蝕刻(ke)存留物出(chu)掉(diao)。服務有優秀(xiu)的(de)蝕刻(ke)存留物出(chu)掉(diao)實力、低缺欠、低的(de)成本。
用于集成型電路(lu)設(she)計(ji)硬掩(yan)(yan)模(mo)(mo)銅互(hu)連大馬士革新工藝(yi)蝕(shi)刻(ke)無殘(can)留(liu)物(wu)物(wu)消(xiao)除(chu)(chu)。物(wu)料提拱高氮化(hua)鈦硬掩(yan)(yan)模(mo)(mo)消(xiao)除(chu)(chu)性能、優(you)秀的蝕(shi)刻(ke)無殘(can)留(liu)物(wu)物(wu)消(xiao)除(chu)(chu)性能、低瑕疵、成本低的費用。物(wu)料就已經 在(zai)(zai)28nm方法論單片機芯片燒錄,并在(zai)(zai)28nm及一些科技分(fen)支持(chi)繼(ji)驗(yan)證通過(guo)。
應用于晶圓級封裝、MEMS等超越摩爾領域厚膜光刻膠去除。產品具有>100微米光刻膠去除能力、低成本。產品在8英寸及12英寸晶圓級封裝(金凸點、焊錫凸點、柱狀凸點)、MEMS、TSV等工藝量產。
更有效(xiao)除掉銅(tong)增加(jia)(jia)光(guang)澤(ze)后從(cong)(cong)(cong)外(wai)單(dan)(dan)單(dan)(dan)從(cong)(cong)(cong)表面顆粒物和生物物留下,解決辦(ban)法(fa)銅(tong)從(cong)(cong)(cong)外(wai)單(dan)(dan)單(dan)(dan)從(cong)(cong)(cong)表面的腐(fu)蝕,影響增加(jia)(jia)光(guang)澤(ze)后晶圓從(cong)(cong)(cong)外(wai)單(dan)(dan)單(dan)(dan)從(cong)(cong)(cong)表面缺點。好產品可(ke)適(shi)宜(yi)于130-28nm的銅(tong)制造增加(jia)(jia)光(guang)澤(ze)后擦洗。
效果的還原(yuan)鎢cnc精(jing)密機械(xie)加工后外(wai)觀(guan)(guan)上(shang)(shang)顆粒物和化學物質(zhi)物存(cun)留,以免鎢外(wai)觀(guan)(guan)上(shang)(shang)腐蝕不(bu)銹鋼,減(jian)低(di)cnc精(jing)密機械(xie)加工后晶圓外(wai)觀(guan)(guan)上(shang)(shang)不(bu)足(zu)。
有(you)效性避開鋁(lv)鏡(jing)(jing)面拋光劑(ji)后(hou)外(wai)(wai)表顆粒肥(fei)料和催化物殘存,制止鋁(lv)外(wai)(wai)表銹蝕(shi),大幅(fu)度降低鏡(jing)(jing)面拋光劑(ji)后(hou)晶圓外(wai)(wai)表瑕疵。
合理(li)出(chu)掉氮(dan)化(hua)硅(gui)打蠟 后外壁(bi)能(neng)(neng)顆粒肥(fei)料和化(hua)學式物農藥殘留,消減打蠟 后晶圓外壁(bi)能(neng)(neng)缺點(dian)。
用來新(xin)原材(cai)料拋(pao)光(guang)處(chu)理(li)劑后(hou)的除垢,調(diao)低拋(pao)光(guang)處(chu)理(li)劑后(hou)晶圓表(biao)面能異(yi)常現象。
有用清(qing)掉打(da)磨墊上(shang)(shang)的打(da)磨副物質(zhi),增長打(da)磨墊的運用使用時間,降(jiang)低了打(da)磨后晶圓表面上(shang)(shang)疵點。
基于液體及固體表面處理技術平臺,配合客戶工藝需求,提供特殊工藝刻蝕液,包括高選擇比磷酸等。
基于自主研發及合作,提供集成電路大馬士革工藝及先進封裝領域的電鍍液及添加劑產品系列。
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