1.鋁制程刻蝕后清洗液

得益于羥胺現(xian)貨(huo)(huo)廠(chang)商現(xian)貨(huo)(huo)供(gong)貨(huo)(huo)可(ke)靠改善實施方(fang)案，提(ti)供(gong)數據半丙烯酸乳(ru)液鋁(lv)合(he)金程刻蝕(shi)后(hou)的洗滌(di)液及胺基鋁(lv)合(he)金程刻蝕(shi)后(hou)的洗滌(di)液。

護膚(fu)品使用于集成化(hua)電(dian)路(lu)板鋁程(cheng)流程(cheng)彩石(shi)材質(zhi)線、通孔及(ji)彩石(shi)材質(zhi)焊(han)盤（pad）蝕刻殘渣物徹底(di)清除，帶(dai)來優質(zhi)的蝕刻殘渣物徹底(di)清除業(ye)務能(neng)力、低利潤。護膚(fu)品已(yi)在8英尺及(ji)12英尺邏(luo)緝電(dian)子器件、數據存儲電(dian)子器件等方面(mian)投產。

2.銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液

采用(yong)(yong)于一體化控制(zhi)電路銅互連大馬士革生產技術蝕(shi)刻余(yu)留(liu)物取(qu)除。產品具有著(zhu)出(chu)眾的(de)蝕(shi)刻余(yu)留(liu)物取(qu)除性能、低(di)(di)常見(jian)問題、低(di)(di)直(zhi)接費用(yong)(yong)。

3.硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液

用(yong)于(yu)集成(cheng)化三極管硬掩模(mo)銅互連大馬(ma)士革(ge)工(gong)(gong)藝技(ji)巧蝕刻余留(liu)物(wu)除(chu)去(qu)。成(cheng)品(pin)的(de)出示高氮(dan)化鈦(tai)硬掩模(mo)除(chu)去(qu)工(gong)(gong)作程(cheng)度、不錯(cuo)的(de)蝕刻余留(liu)物(wu)除(chu)去(qu)工(gong)(gong)作程(cheng)度、低弊病、低生產(chan)成(cheng)本。成(cheng)品(pin)的(de)就在28nm邏輯(ji)學(xue)存儲芯片量產(chan)u盤，并在28nm及以上技(ji)巧結點持續(xu)保持印(yin)證。

1.銅化學機械拋光后的清洗

有用(yong)我們要除銅拋(pao)光后表(biao)皮顆料和藥劑學物殘留(liu)物，預防銅表(biao)皮侵蝕，調低(di)拋(pao)光后晶圓表(biao)皮的缺(que)陷(xian)。物品(pin)可采用(yong)做130-28nm的銅制造拋(pao)光后清晰(xi)。

2.鎢化學機械拋光后的清洗

行之有(you)效(xiao)去(qu)掉鎢(wu)增加光澤(ze)后的外接(jie)(jie)觸面顆料和化學上(shang)的物留，以防(fang)鎢(wu)的外接(jie)(jie)觸面防(fang)腐蝕，削(xue)減(jian)增加光澤(ze)后晶圓的外接(jie)(jie)觸面疵點。

3.鋁化學機械拋光后的清洗液

有(you)效地(di)徹底(di)清除鋁(lv)鏡面增加(jia)光(guang)澤(ze)后(hou)表皮顆粒劑和化學(xue)工業物無殘留，必免(mian)鋁(lv)表皮銹蝕，降底(di)鏡面增加(jia)光(guang)澤(ze)后(hou)晶圓(yuan)表皮不足。

4.氮化硅化學機械拋光后的清洗

有效性祛(qu)除氮化硅打磨(mo)后(hou)外(wai)表上(shang)顆料和化工(gong)物殘余的，調低打磨(mo)后(hou)晶圓外(wai)表上(shang)缺陷報告(gao)。

5.用于新材料化學機械拋光后的清洗

應用在環保新型材料cnc精密(mi)機械(xie)加工(gong)(gong)后的(de)難以清理，減輕cnc精密(mi)機械(xie)加工(gong)(gong)后晶圓的(de)表面問題。

6.拋光墊清洗液

合理有效(xiao)清(qing)理打蠟(la) 劑(ji)(ji)墊(dian)上的打蠟(la) 劑(ji)(ji)副終產物(wu)，延長了打蠟(la) 劑(ji)(ji)墊(dian)的用到保修期(qi)，影響打蠟(la) 劑(ji)(ji)后晶圓(yuan)從(cong)表面缺點。