1.鋁制程刻蝕後清洗液

憑藉(jie)羥胺供應商供應穩定(ding)解決方案怎么寫，給出(chu)半丙(bing)烯酸(suan)乳(ru)液鋁工藝(yi)刻(ke)蝕(shi)後(hou)清晰液及胺基鋁工藝(yi)刻(ke)蝕(shi)後(hou)清晰液。

產(chan)品應用(yong)於(wu)積體電路(lu)鋁制造(zao)工(gong)藝金(jin)屬線、通孔及金(jin)屬焊盤（pad）蝕刻(ke)殘(can)留物我們(men)(men)要除(chu)，出(chu)具優異的蝕刻(ke)殘(can)留物我們(men)(men)要除(chu)學習能力(li)、低的成本(ben)。產(chan)品已在(zai)85英尺及125英尺邏(luo)輯晶片(pian)(pian)、存儲(chu)晶片(pian)(pian)等領域(yu)量產(chan)。

2.銅大馬士革工藝刻蝕後清洗液

應用於積體電路(lu)銅互(hu)連大馬(ma)士革工藝蝕(shi)刻(ke)殘留物清(qing)(qing)除(chu)。產品體現了優(you)異的蝕(shi)刻(ke)殘留物清(qing)(qing)除(chu)本事、低常見(jian)問題(ti)、低生產成本。

3.硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕後清洗液

應(ying)用(yong)於積(ji)體(ti)電(dian)路硬掩(yan)模銅(tong)互連(lian)大馬士革工(gong)藝(yi)蝕刻殘留(liu)物消(xiao)除(chu)。產品帶來高(gao)氮化(hua)鈦硬掩(yan)模消(xiao)除(chu)程度、優(you)異的蝕刻殘留(liu)物消(xiao)除(chu)程度、低異常現(xian)象、成本更低費。產品已經在28nm邏輯晶片(pian)量(liang)產，並在28nm及(ji)下例技術節點持續驗證。

1.銅化學機械拋光後的清洗

有(you)效率快速清理銅拋光(guang)後外(wai)(wai)面(mian)顆粒和化學物殘留，避免 銅外(wai)(wai)面(mian)腐蝕，縮減拋光(guang)後晶圓外(wai)(wai)面(mian)問題。產品(pin)可適用於130-28nm的銅生(sheng)產工(gong)藝(yi)拋光(guang)後進行維護清潔。

2.鎢化學機械拋光後的清洗

更(geng)有效清(qing)掉(diao)鎢拋(pao)光後(hou)單單從接觸面顆(ke)粒和化學物(wu)殘留，預防(fang)鎢單單從接觸面腐蝕，變低(di)拋(pao)光後(hou)晶圓(yuan)單單從接觸面障礙。

3.鋁化學機械拋光後的清洗液

可以有效祛(qu)除鋁拋(pao)(pao)光(guang)後外(wai)表顆粒(li)和化學物殘留，控(kong)制鋁外(wai)表腐蝕，消減(jian)拋(pao)(pao)光(guang)後晶(jing)圓(yuan)外(wai)表疵點。

4.氮化矽化學機械拋光後的清洗

有(you)效的刪去氮(dan)化矽拋(pao)光後外層顆粒和化學物殘留，有(you)效降(jiang)低拋(pao)光後晶圓外層不足。

5.用於新材料化學機械拋光後的清洗

用於新(xin)建材拋光後(hou)的的清洗，削減拋光後(hou)晶圓外(wai)面缺點(dian)。

6.拋光墊清洗液

可行弄掉拋(pao)(pao)光(guang)墊(dian)上的拋(pao)(pao)光(guang)副產物，延長拋(pao)(pao)光(guang)墊(dian)的食用壽命，降底拋(pao)(pao)光(guang)後晶圓外表面(mian)障礙(ai)。